Offre Poste Ingénieur Recherche - Packaging de sonde active de mesure en bande millimétrique (H/F)

Missions :
Les développements les plus récents dans le domaine des télécommunications et du transfert de données à ultra-haut débit ont été considérablement stimulés par l’essor du ‘Cloud Storage and Computing’ et du développement du standard de télécommunication 5G. Intimement lié à l’émergence de l’intelligence artificielle (IA), des réseaux de capteurs (IoT), du traitement de données et de leur stockage, l’un des challenges à relever est le passage à des débits supérieurs à 100 Gb/s. Cet objectif ne peut être atteint qu'en développant les technologies, composants et systèmes en bandes millimétriques (mmW). Les technologies avancées silicium (BiCMOS) visant des fréquences de coupure ft/fmax supérieures à 400GHz permettront la conception de circuits sur silicium dans la plage de fréquence 140-220GHz (bande G). Afin de valider le développement de ces technologies, il est nécessaire de disposer de moyens de caractérisation hyperfréquences permettant l’extraction des facteurs de mérite des transistors tels que le facteur de bruit et le rendement de puissance pour élaborer la modélisation associée. A ces fréquences, les outils large bande tels que les sources de bruit, les récepteurs de bruit, les adaptateurs d’impédances (tuners) et les récepteurs de puissance ne sont pour pas disponibles sur le marché ou présentent des caractéristiques variant fortement sur la bande de fréquence.
Des travaux antérieurs ont démontré la possibilité de réaliser des mesures de bruit en bande D (110-170 GHz) et en bande G (140-220 GHz) en embarquant directement sur silicium l’instrumentation de mesure autour du composant à tester en technologie BiCMOS B55. Autrement dit, une mesure de bruit de composant dans une technologie CMOS ou BiCMOS est possible en intégrant la source de bruit, le tuner, voire le récepteur de bruit au voisinage direct du composant sur la même puce de silicium et dans la même technologie de semiconducteur. Cette approche de test in-situ ou built-in self test (BIST) ne constitue cependant pas une solution viable car elle consomme une surface substantielle de silicium entrainant un coût non acceptable. Afin de mettre à profit l’instrumentation de mesure pour tout type de technologie et de rationaliser les coûts liés au test, l’étape suivante est de concevoir l’intégration de ces fonctions dans un système compact disposé au plus près des pointes de mesure. La proximité de la fonction d’instrumentation (ex : source de bruit) au voisinage immédiat des aiguilles de contact sur wafer est rendue nécessaire afin de contrôler les pertes dont les variations altèrent de manière drastique la sensibilité de mesure. Ce système de mesure doit être réalisé dans une technologie de packaging intégrant la fabrication des pointes afin de tester les composants directement sur les tranches de silicium (on-wafer). Ce système d’instrumentation prend donc la forme d’une sonde active fonctionnalisée nécessitant la mise en
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