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CDD Postdoctoral - Etudes des propriétés de films minces Ga2O3 pour l'électronique de puissance (H/F)

Référence : UMR8635-LAUTUR-010

  • Fonction publique : Fonction publique de l'État
  • Employeur : Centre national de la recherche scientifique (CNRS)
  • Localisation : 78035 VERSAILLES (France)
Domaine : Recherche
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  • Nature de l’emploi Emploi ouvert uniquement aux contractuels
  • Nature du contrat Non renseigné
  • Expérience souhaitée Non renseigné
  • Rémunération Fourchette indicative pour les contractuels 3 084,33 € à 4 291,70 € € brut/an Fourchette indicative pour les fonctionnaires Non renseignée
  • Catégorie Catégorie A (cadre)
  • Management Non renseigné
  • Télétravail possible Non renseigné

Vos missions en quelques mots

Missions :
Du fait de sa grande bande interdite de 4,8 eV, bêta-Ga2O3 est un excellent candidat pour les dispositifs à base de semiconducteurs opérant à haute température. De plus, il peut supporter des champs électriques importants (champ de claquage de 8 MV/cm) le rendant aussi digne d'intérêt pour les applications haute puissance/haute tension, en concurrence avec GaN, SiC, et le diamant. Plusieurs marchés sont visés, militaires et civils, en particulier le marché de l'électronique pour les véhicules électriques, ou encore la distribution de l'énergie électrique issue des champs d'éoliennes ou de panneaux photovoltaïques.

Au GEMAC, nous élaborons le composé Ga2O3 en hétéroépitaxie sur saphir et en homoépitaxie sur substrat Ga2O3. La technique de croissance est l'épitaxie en phase vapeur par décomposition d'organométalliques (MOVPE, MOCVD). Nous caractérisons les propriétés morphologiques, structurales et électriques des films minces pour les applications en électronique de puissance. Cette thématique est transverse aux Axes "Semiconducteurs" et "Physique des matériaux multifonctionnels".
Ce contrat post-doctoral de 18 mois s'inscrit dans le cadre du projet européen SAFEPOWER "Safer and More Reliable WBG/UWBG-Based MVDC Power Converters". C'est un projet HORIZON-CL5-2024-D3-01, coordonné par le CSIC Barcelone. La mission sera précisément d'étudier les propriétés de films minces Ga2O3 issus du laboratoire.

Activités :
En relation avec les partenaires du consortium, le matériau Ga2O3 sera développé pour la réalisation de dispositifs de type MESFET, JFET et diodes pn à hétérojonction. Au sein d'une équipe de sept personnes au GEMAC, le/la post-doctorant(e) étudiera les propriétés par diffraction de RX, microscopie à force atomique (AFM), mesure I(V), C(V), Effet Hall - Van der Pauw en température, et microscopie électronique en transmission corrigée (STEM). Les techniques de lithographie optique + pulvérisation cathodique seront utilisées pour la préparation des contacts électriques. L'effort sera porté sur le lien entre les conditions de croissance et les propriétés structurales/électriques afin de maitriser le transport électrique de couches dopées et non dopées. Le/la post-doctorant(e) sera fortement impliqué(e) dans la synthèse et la présentation des résultats lors des réunions du consortium européen (et lors de conférences), ainsi que dans la rédaction de rapports d'avancement et de publications.
Contexte de travail :
Le poste est affecté au GEMAC, unité mixte de recherche dépendant de deux tutelles : le CNRS et l'Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines. Le GEMAC est situé sur le campus de l'UFR des sciences de Versailles. Il est également rattaché à l'Université Paris-Saclay.
Le/la post-doctorant(e) sera intégré(e) à l'Axe Semiconducteurs du laboratoire.
L'oxyde de gallium Ga2O3 est un oxyde connu. Sa structure cristalline admet 5 polymorphes, et la phase bêta cristalline es
Voir plus sur le site emploi.cnrs.fr...

Profil recherché

Competences :
Expérience en physique et caractérisation des semiconducteurs (dans le cadre d'une thèse).
Connaissances théoriques :
- matière condensée
- transport électrique dans les semiconducteurs
- cristallographie
Compétences
- Aptitudes expérimentales et au travail en équipe
- Suivre les règles de sécurité
- Communication, rédaction en anglais

Contraintes et risques :
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST). Des restrictions pourront être appliquées et, conformément à la réglementation, le recrutement nécessite qu'il soit autorisé par l'autorité compétente du MESR.

Niveau d'études minimum requis

  • Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
  • Spécialisation Formations générales

Langues

  • Français Seuil

Qui sommes-nous ?

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l’Enseignement supérieur, de la Recherche et de l’Innovation.

C’est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 33 000 femmes et hommes (dont plus de 16 000 chercheurs et plus de 16 000 ingénieurs et techniciens), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines.

En savoir plus sur l'employeur

À propos de l'offre

  • Le Centre national de la recherche scientifique est l’une des plus importantes institutions publiques au monde : 34 000 femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l’Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l’international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l’innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

  • Vacant

  • Chercheuse / Chercheur

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